基于ITO薄膜的加熱器
由微型蒸汽電池的尺寸很小,因此室溫下電池中包含的原子數量非常少(通常存在約35,000,000個原子)。原子數少意味著吸收的光量少,CPT信號也相應小。由于原子密度隨溫度增加而增加,因此電池通常在80°C至130°C的溫度范圍內工作,以將原子數增加到吸收率接近50%的程度。微型電池加熱器用于加熱電池。這些加熱器是通過使用電子束蒸發在玻璃基板上沉積一層銦錫氧化物(ITO)制成的。ITO是透明的 導電材料,因此可以形成分布在基板表面的電阻加熱器,同時仍然允許光通過。約30 nm的ITO膜可產生100W / sq的電阻。沉積在最終加熱器元件邊緣附近的金匯流條使金線可以粘結到組件上。金線的另一端連接到CSAC基板,以提供電氣通道。
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ITO加熱器組件 |
用粘合式ITO加熱器組裝的電池的照片 |
減少ITO薄膜上的雜散磁場的加熱器微型蒸
汽電
池(a)ITO加熱器的照片和(b)示意性側視圖。將具有圖案化ITO的兩個玻璃基板與不導電的環氧樹脂粘合在一起,制成磁場減弱的加熱器。加熱器中較淺的色線是通過激光圖案去除ITO的位置。在ITO圖案化之后,沉積金焊盤以進行引線鍵合,并在剩余的暴露ITO上沉積2μm苯并環丁烯絕緣層,以便僅通過金焊盤進行上下ITO層之間的電接觸。大箭頭顯示電流進入和離開加熱器的位置。導電環氧樹脂在上和下ITO之間提供連接。
磁力計的運行至關重要的是加熱器的設計。來自蒸氣室附近的任何電流的磁場都將被原子檢測到,因此要格外小心以減少加熱器電流的影響。為了在很大程度上消除ITO加熱器電流產生的磁場,我們將電流配置為自身增加一倍。這是通過首先對ITO進行激光構圖來實現的,從而使電流流過120μm寬的ITO條(圖2)。電流的曲折路徑使加熱器電阻較高(2kΩ),從而減小了電流,并在大多數加熱器上分散了功耗,從而均勻地加熱了電池窗。為了為電流創建一個與輸入電流的路徑僅相差約10μm的返回路徑,我們將兩個圖案化的ITO加熱器粘合在一起,第二個具有第一個的鏡像圖案。因此,由流過下部ITO層的電流產生的磁場被上部ITO層中直接在其上方流動的返回電流的場抵消。為了進一步降低ITO加熱器電流的影響,我們使用交流電以2至10 kHz的頻率通過加熱器。通過比較在使用交流電和直流電通過加熱器時測得的磁場,我們觀察到使用直流電時加熱器產生的磁場為23 nT,磁共振的展寬為110 Hz(在總展寬中1800 Hz)。通過流過下部ITO層的電流產生的磁場被上部ITO層中正上方流過的回流電流的場抵消。為了進一步降低ITO加熱器電流的影響,我們使用交流電以2至10 kHz的頻率通過加熱器。通過比較在使用交流電和直流電通過加熱器時測得的磁場,我們觀察到使用直流電時加熱器產生的磁場為23 nT,磁共振的展寬為110 Hz(在總展寬中1800 Hz)。通過流過下部ITO層的電流產生的磁場被上部ITO層中正上方流過的回流電流的場抵消。為了進一步降低ITO加熱器電流的影響,我們使用交流電以2至10 kHz的頻率通過加熱器。通過比較在使用交流電和直流電通過加熱器時測得的磁場,我們觀察到使用直流電時加熱器產生的磁場為23 nT,磁共振的展寬為110 Hz(在總展寬中1800 Hz)。
我們已經開發出單元中集成的單片“原位”加熱器,作為使用ITO加熱器的一種可能替代方案。與ITO加熱器相比,此方法的優點是:
1。 如果在CSAC中實現,這些加熱器將占用更少的空間-這些加熱器直接在電池腔內部制造,因此不需要在物理封裝中添加其他芯片,從而減小了CSAC的整體體積。在本報告中這不是很明顯,因為到目前為止制作的電池比CSAC中使用的電池大.
2。 可能更低的功率–由于加熱器位于電池腔內并且與Cs和電池的玻璃窗直接接觸(陽極與玻璃粘接),因此,由于電池與加熱器之間不存在中間障礙,因此熱阻應較低。(再次,從本報告中并不能立即看出這一點,因為到目前為止,用加熱器制成的電池的尺寸和結構與CSAC中使用的電池不同。
3。 硅加熱器也可以用作溫度傳感器。這些電池由兩個線圈制成,一個線圈用于加熱,一個線圈用于感應,盡管到目前為止,僅簡要介紹了感應功能。可替代地,可以在電池內部制造二極管以用于溫度感測。
4。 單片集成–降低商業化成本.
與ITO加熱器相比的缺點:
1。 溫度梯度–硅加熱器將在整個電池窗口內引起溫度梯度,而ITO膜(未構圖)則不會。
2。 2.光學透明度– ITO加熱器是透明的,而硅加熱器不是透明的;因此,硅加熱器將限制電池窗的有用面積。
制造:
使用與以前的電池相同的通用程序來制造電池-在硅中蝕刻型腔/結構,將其粘結到玻璃上以制成成型品,并在厭氧室內將Cs和N2緩沖氣體填充到預成型件中,并通過陽極鍵合進行密封。區別在于,除了簡單的方腔之外,還使用深反應離子刻蝕在硅中刻蝕了更復雜的蛇形結構,以定義雙線加熱器線圈。另外,這些加熱器線圈摻有硼以增加其電導率。摻雜區也進一步延伸到芯片中,位于細胞腔的外部,并在芯片邊緣被圖案化為電氣走線和焊盤。金屬或環氧樹脂沉積在焊盤上,以實現引線鍵合,從而實現與加熱器線圈的電連接。
為了避免劃片過程可能損壞脆弱的加熱線圈,在晶片上蝕刻了開放的溝槽以定義每個芯片,并通過薄硅片或“易碎片”將芯片附著到晶片上,從而可以輕松地將其斷開。從晶片上去除芯片。右上圖顯示了一種這樣的電池預成型件晶圓。然后從厭氧室中的移液器中將Cs填充到硅預成型坯中,回填20-25 kPa N 2緩沖氣體,并通過陽極鍵合密封,放置頂部玻璃片,使硅鍵合墊露出。
下圖顯示了制作的電池。每個單元包含兩個加熱器線圈,它們的寬度為30 mm,厚度與晶片的其余部分相同,因此接觸頂部和底部玻璃窗口。在室溫下,每個線圈的電阻約為一公里,盡管使用了高電壓,但在陽極鍵合之前和之后都保持不變。
進行銫光學吸收測量以測試加熱器的功能。為此,將電池引線鍵合到金屬芯片載體上,該芯片載體的孔中鉆有孔,以允許光線穿過電池。(芯片載體僅用于固定電池并提供與加熱器的電連接。)在電池與芯片載體之間放置厚度為0.5 mm的玻璃墊片,以提供一定的熱隔離。盡管如此,整個芯片載體還是被電池加熱器加熱了(參見下圖)。芯片載體引線連接到直流電源,功率增加直到獲得清晰的光吸收光譜,如下圖所示。此時,用熱電偶測得的電池外表面溫度約為75℃。加熱器的輸入功率約為1瓦。然后,根據加熱器輸入功率的函數,使用熱電偶測量電池玻璃窗,玻璃墊片和芯片載體外表面的溫度,如下圖所示。
的尺寸很小,因此室溫下電池中包含的原子數量非常少(通常存在約35,000,000個原子)。原子數少意味著吸收的光量少,CPT信號也相應小。由于原子密度隨溫度增加而增加,因此電池通常在80°C至130°C的溫度范圍內工作,以將原子數增加到吸收率接近50%的程度。微型電池加熱器用于加熱電池。這些加熱器是通過使用電子束蒸發在玻璃基板上沉積一層銦錫氧化物(ITO)制成的。ITO是透明的 導電材料,因此可以形成分布在基板表面的電阻加熱器,同時仍然允許光通過。約30 nm的ITO膜可產生100W / sq的電阻。沉積在最終加熱器元件邊緣附近的金匯流條使金線可以粘結到組件上。金線的另一端連接到CSAC基板,以提供電氣通道。